SPB10N10 G 全国供应商、价格、PDF资料
SPB10N10 G详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10.3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫欧 @ 7.8A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 21µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19.4nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：426pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
- 板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RCPT .100" 5POS GOLD T/H
- 钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1411
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20TSSOP
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 30V SMPC
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 15UF 35V 20% 2917
- 板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RCPT .100" 7POS GOLD T/H
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can CAP FILM 50UF 660VAC QC TERM
- 钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 10UF 20V 10% 1411
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 150UF 10V 10% 2917
- 二极管，整流器 - 阵列 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 40V SMPC
- 板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RCPT .100" 8POS GOLD T/H
- FET - 单 Fairchild Semiconductor SC-94 MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3PF
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20SSOP
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
0755-88291559 
0755-83777708 
171-4729-9698 
010-62962871、 
13910052844（微 
010-62962871、 
0755-22929859 
